WSD3810DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:20W
阈值电压:1.6V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.8mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:18A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.10 x 3.10mm
封装/外壳:DFN8_3X3MM_EP
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:8nC
配置:单路
原产国家:China
输入电容:455pF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.2275
10+¥2.0250
30+¥1.8900
100+¥1.6875
500+¥1.5930
1000+¥1.5255
包装:1 库存:0