AO6409
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 漏源电流(Idss): | 5.5A |
| 功率耗散: | 2.1W |
| 阈值电压: | 1V@250μA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 5.5A |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 1.8V，4.5V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 9.3nC |
| 配置: | 单路 |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±8V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.2nC@4.5V |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 6Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.3978 |
| 包装：1 | 库存：18 |