AO6409

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):5.5A
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
阈值电压:1V
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor, Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:TSOP-6
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
FET功能:-
Vgs(Max):±8V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):17.2nC@4.5V
高度:1.25mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥2.3978
包装:1 库存:18