AO6409
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道MOSFET TSOP6 VDS=20V VGS=±8V ID=5.5A
物料参数
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 漏源电流(Idss): | 5.5A |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.5A |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.60mm |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 栅极源极击穿电压: | ±8V |
| 输入电容(Ci): | 1.45nF@10V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±8V |
| 栅极电荷(Qg): | 17.2nC@4.5V |
| 高度: | 1.25mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 6Pin |
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 2.1W |
| 反向传输电容Crss: | 80pF |
| 系列: | - |
| FET功能: | - |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 45mΩ@4.5V |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.3978 |
| 包装：1 | 库存：18 |