LBC856BWT1G

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分类
晶体管 > 通用三极管
描述
PNP VCEO:65V IC:100mA

物料参数

安装类型:SMT
品牌:LRC
功率耗散:150mW
集电极-基极电压(VCBO):80V
Vce饱和压降:650mV
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):65V
极性:PNP
跃迁频率:100MHz
印字代码:3B
封装/外壳:SOT-323
工作温度:-55℃~+150℃
集电极电流 Ic:100mA
集电极-发射极电压 VCEO:65V
原产国家:China
最小包装:3000
发射极与基极之间电压 VEBO:5V
认证信息:RoHS
DC电流增益(hFE):220~475
晶体管类型:PNP
价格梯度 价格
1+¥0.1033
30+¥0.0996
100+¥0.0959
500+¥0.0885
1000+¥0.0848
2000+¥0.0826
包装:1 库存:1970
价格梯度 价格
1+¥0.0637
100+¥0.0608
包装:1 库存:1765