LBC856BWT1G
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晶体管 > 通用三极管
描述
PNP VCEO:65V IC:100mA
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 150mW |
| 集电极-基极电压（VCBO）: | 80V |
| 集射极击穿电压Vceo: | 65V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)): | 65V |
| 长x宽/尺寸: | 2.00 x 1.25mm |
| 封装/外壳: | SOT-323 |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 集电极电流 Ic: | 100mA |
| 特征频率(fT): | 100MHz |
| 发射极与基极之间电压 VEBO: | 5V |
| 高度: | 0.90mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | PNP |
| DC电流增益(hFE): | 220~475 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 20+ | ¥0.1056 |
| 200+ | ¥0.0831 |
| 600+ | ¥0.0708 |
| 包装：20 | 库存：1935 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0637 |
| 100+ | ¥0.0608 |
| 包装：1 | 库存：1765 |