MEM2310M3G

品牌
MICRONE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V 5.8A 30mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA N Channel SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:35V
功率耗散:1.4W
阈值电压:1.4V
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.8A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:77pF
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):823pF
工作温度:+150℃(TJ)
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):30mΩ@10V
高度:1.10mm
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.3148
100+¥0.2514
300+¥0.2204
包装:10 库存:50