AONS62604
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 功率耗散: | 119W |
| 阈值电压: | 1.6V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 长x宽/尺寸: | 5.55 x 5.20mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(5x6) |
| 反向传输电容Crss: | 108pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 3.66nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻(RDS(on): | 4.1mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 90nC |
| 高度: | 0.95mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.7239 |
| 10+ | ¥3.8024 |
| 包装：1 | 库存：15 |