AON7400A

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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 30V 40A DFN-8(3x3)

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:30V
功率耗散:25W
阈值电压:1.97V
极性:N-沟道
连续漏极电流:40A
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
封装/外壳:DFN-8(3x3)
反向传输电容Crss:105pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):1.38nF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
系列:-
FET功能:-
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):7.5mΩ@10V,20A
栅极电荷(Qg):24nC@10V
高度:0.80mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.0096
50+¥0.7929
150+¥0.7026
500+¥0.5798
包装:5 库存:180