AON7409

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供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-channel VDS=30V ID=16A DFN8_3X3MM_EP

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
击穿电压:±20V
技术路线:MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散:96W
阈值电压:2.7V@250µA
额定功率:96W
原始制造商:Alpha & Omega Semiconductor, Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:16A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN8_3X3MM_EP
栅极源极击穿电压:17mΩ
反向传输电容Crss:363pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
FET功能:-
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):58nC
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
1+¥6.0580
10+¥5.5920
30+¥5.4988
100+¥5.2192
包装:1 库存:0