IRF5803TRPBF

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:30V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):54mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4A
封装/外壳:SOT23-6
反向传输电容Crss:63pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):15nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥0.7110
包装:1 库存:202