AO3400

品牌
MDD
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:1.2V
额定功率:1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5A
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-50℃~+150℃
充电电量:6.2nC
输入电容:490pF
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):6.2nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.1027
包装:1 库存:0