AO3400
品牌
MDD
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 阈值电压: | 1.2V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 5A |
| 存储温度: | -50℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 490pF |
| 工作温度: | -50℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 50mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 6.2nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1081 |
| 包装：1 | 库存：0 |