LP4101LT1G
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
低功耗MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 900mW |
| 阈值电压: | 950mV@250μA |
| 原始制造商: | Leshan Radio Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 2.3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容(Ci): | 388pF |
| 反向传输电容Crss: | 97.26pF@6V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 69mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 15.23nC@4.5V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.3616 |
| 100+ | ¥0.2863 |
| 300+ | ¥0.2492 |
| 3000+ | ¥0.2192 |
| 包装：10 | 库存：435 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.2695 |
| 包装：1 | 库存：97 |