LP4101LT1G

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):900mW

物料参数

安装类型:SMT
品牌:LRC
阈值电压:950mV@250μA
原始制造商:Leshan Radio Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):69mΩ@4.5V,2.8A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:2.3A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:97.26pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):15.23nC@4.5V
零件状态:Active
高度:1.01mm
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.2595
50+¥0.2370
500+¥0.2070
1000+¥0.1845
2500+¥0.1740
包装:5 库存:3435
价格梯度 价格
1+¥0.2695
包装:1 库存:97