WSD30L30DN
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | Winsok |
| 功率耗散: | 29.8W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 19mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 32A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | DFN8_3X3MM |
| 漏极电流: | -32A |
| 反向传输电容Crss: | 170pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 1nF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.00mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |