WSD30L30DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
漏源电流(Idss):-32A
功率耗散:29.8W
阈值电压:1.8V
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
连续漏极电流:32A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.00 x 3.00mm
封装/外壳:DFN-8(3x3)
输入电容(Ci):1nF
反向传输电容Crss:170pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):19mΩ
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥1.2574
包装:5 库存:25