MT4435ACTR
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2.5W |
| 阈值电压: | 2.5V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 7A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 145pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 13nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | - |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 38nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.7632 |
| 10+ | ¥1.6530 |
| 50+ | ¥1.4877 |
| 150+ | ¥1.3775 |
| 300+ | ¥1.3004 |
| 500+ | ¥1.2673 |
| 包装：1 | 库存：0 |