JMTL3415KL

品牌
JJW
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.1W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:-20V
功率耗散:1.1W
阈值电压:700mV
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.1A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:22pF
栅极源极击穿电压:±10V
输入电容(Ci):289pF
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):31mΩ@4.5V,4A
栅极电荷(Qg):9nC@4.5V
高度:1.00mm
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
10+¥0.2257
100+¥0.1810
300+¥0.1592
3000+¥0.1324
6000+¥0.1182
包装:10 库存:3017