JMTL3415KL

品牌
JJW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.1W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:-20V
阈值电压:-0.7V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.1A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±10V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
导通电阻(RDS(on):31mΩ@4.5V,4A
栅极电荷(Qg):9nC@4.5V
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.1938
10+¥0.1615
包装:1 库存:17