SK3415

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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):4.2A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:-25V
阈值电压:1.3V@250μA
原始制造商:Taiwan shike Electronics co.,ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,4.2A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.2A
封装/外壳:SC59
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-25℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):25V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.3145
20+¥0.2868
100+¥0.2590
500+¥0.2313
1000+¥0.2183
2000+¥0.2091
包装:5 库存:2789