NCE3025Q

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250μA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:25A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.10mm
封装/外壳:DFN-8(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:198pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:15nC
配置:单路
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
零件状态:Active
价格梯度 价格
5+¥1.3623
包装:5 库存:10