NCE3025Q

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):25W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
功率耗散:25W
阈值电压:3V@250μA
额定功率:25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,10A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:25A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:DFN-8(3.3x3.3)
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:1.53nF
漏源电压(Vdss):30V
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.3206
包装:5 库存:10