NCE3025Q
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 25W |
| 阈值电压: | 3V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 25A |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.10mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 198pF |
| 输入电容(Ci): | 1.53nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 15nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 10mΩ@10V |
| 零件状态: | Active |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.6462 |
| 包装：5 | 库存：10 |