HX4407

品牌
HX
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-10A P=3W

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):-10A
阈值电压:3V
原始制造商:Shenzhen Heng Jia Xing Electronics Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:10A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:-
封装/外壳:SOP-8
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:302pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):37.2nC
晶体管类型:P沟道
无库存