AP6007S
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3.2W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 功率耗散: | 3.2W |
| 阈值电压: | 1.6V |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 额定功率: | 3.2W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 9.5mΩ@10V,12A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 12A |
| 长x宽/尺寸: | 5.10 x 4.00mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SO-8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 77nC |
| 高度: | 1.75mm |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.3306 |
| 50+ | ¥1.0352 |
| 800+ | ¥0.7507 |
| 1600+ | ¥0.6803 |
| 4000+ | ¥0.6381 |
| 包装：5 | 库存：3900 |