AP95T07GP-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:插件
是否无铅:Yes
击穿电压:75V
阈值电压:4V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ
包装:Tube packing
连续漏极电流:80A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:-
封装/外壳:TO-220-3
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
输入电容:6.87nF
最小包装:1pcs
漏源电压(Vdss):75V
正向压降VF Max:1.3V
栅极电荷(Qg):135nC
高度:-
晶体管类型:N沟道