

AP95T07GP-HF
品牌
APEC
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
安装类型: | 插件 |
是否无铅: | Yes |
击穿电压: | 75V |
阈值电压: | 4V |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 5mΩ |
包装: | Tube packing |
连续漏极电流: | 80A |
存储温度: | -55℃~+175℃ |
长x宽/尺寸: | - |
封装/外壳: | TO-220-3 |
栅极源极击穿电压: | ±20V |
工作温度: | -55℃~+175℃ |
配置: | 单路 |
输入电容: | 6.87nF |
最小包装: | 1pcs |
漏源电压(Vdss): | 75V |
正向压降VF Max: | 1.3V |
栅极电荷(Qg): | 135nC |
高度: | - |
晶体管类型: | N沟道 |