NCE3420
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 阈值电压: | 1V |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 6A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 51.5pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 12nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | 10V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4818 |
| 100+ | ¥0.3725 |
| 600+ | ¥0.3688 |
| 1200+ | ¥0.3614 |
| 3000+ | ¥0.3506 |
| 包装：10 | 库存：2950 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.3430 |
| 包装：1 | 库存：10 |