NCE3420

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
沟槽型

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:1.25W
阈值电压:1V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:51.5pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:12nC
配置:单路
Vgs(Max):10V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):12nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.4672
100+¥0.3650
300+¥0.3147
包装:10 库存:2950
价格梯度 价格
1+¥0.3430
包装:1 库存:10