AO4606

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2W
阈值电压:-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ,50mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6.8A,6.6A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOIC-8
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:33pF,57pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:-
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):63nC
零件状态:Active
高度:1.75mm
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥1.4616
10+¥1.2839
30+¥1.2113
包装:1 库存:80