AO3480C

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晶体管 > MOSFETs
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.2A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.8V@250μA
额定功率:1.3W
原始制造商:Alpha and Omega Semiconductor
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6.2A
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:12nC
配置:单路
输入电容:600pF
Vgs(Max):±20V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):16mΩ@10V,6.2A
栅极电荷(Qg):6nC@10V
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.5442
50+¥0.4437
600+¥0.3557
1200+¥0.3504
3000+¥0.2958
包装:5 库存:3981