AO3480C
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 1.3W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.2A |
| 长x宽/尺寸: | 3.10 x 1.80mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 反向传输电容Crss: | 60pF@15V |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 600pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 16mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 6nC@10V |
| 高度: | 1.25mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 3Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.4645 |
| 100+ | ¥0.3762 |
| 300+ | ¥0.3330 |
| 包装：10 | 库存：3981 |