CJ2306

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.1W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.3A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:17pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
输入电容:335pF
Vgs(Max):±20V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):6.7nC
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥0.4880
10+¥0.4575
50+¥0.4118
150+¥0.3813
300+¥0.3599
500+¥0.3508
包装:1 库存:0