IRLML6402TRPBF

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:1.25W
阈值电压:1.5V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
输入电容:835pF
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.12mm
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.4537
50+¥0.3643
150+¥0.3198
包装:5 库存:199