NCE60H15A

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

物料参数

安装类型:插件
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:60V
阈值电压:4V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:150A
长x宽/尺寸:10.25 x 4.60mm
封装/外壳:TO-220-3
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):3.1mΩ@10V
栅极电荷(Qg):130.8nC
高度:19.15mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥6.1498
10+¥4.9098
50+¥4.2532
100+¥3.6248
包装:1 库存:0