NCE60H15A

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:60V
阈值电压:4V@250µA
包装:Tube packing
连续漏极电流:150A
封装/外壳:TO-220-3
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:488pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):3.1mΩ@10V,75A
栅极电荷(Qg):130.8nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥3.0400
10+¥2.7400
50+¥2.5000
150+¥2.3400
300+¥2.2400
包装:1 库存:0