BLM2301

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道增强型功率MOSFET VDS=20V,VGS=±12V ID=3A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Belling
击穿电压:20V
功率耗散:1W
阈值电压:1V
原始制造商:Shanghai Belling Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:3A
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:55pF
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:3.3nC
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):110mΩ@4.5V
栅极电荷(Qg):12nC@10V
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.1670
20+¥0.1520
100+¥0.1370
500+¥0.1220
1000+¥0.1150
2000+¥0.1100
包装:5 库存:120