SK3424

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晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V@250μA
原始制造商:Taiwan shike Electronics co.,ltd
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:2A
封装/外壳:SC-59
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-25℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):8.5nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.3400
20+¥0.3100
100+¥0.2800
500+¥0.2500
1000+¥0.2360
2000+¥0.2260
包装:5 库存:1032