VB7101M
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 100V 3.2A TSOP-6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 100V |
| 功率耗散: | 1.3W |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 3.2A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.05 x 1.65mm |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 输入电容(Ci): | 424pF |
| 反向传输电容Crss: | 42pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 4.2nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 导通电阻(RDS(on): | 95mΩ@10V |
| 栅极电荷(Qg): | 13nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 引脚数: | 6Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2208 |
| 10+ | ¥1.1445 |
| 50+ | ¥1.0301 |
| 150+ | ¥0.9538 |
| 300+ | ¥0.9003 |
| 500+ | ¥0.8775 |
| 包装：1 | 库存：0 |