WSD100N06GDN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs DFN8_5X6MM_EP ID=100A VDS=60V
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 长x宽/尺寸: | 5.75 x 4.90mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(5x6) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 22pF |
| 输入电容(Ci): | 3.458nF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 58nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 58nC@10V |
| 高度: | 1.10mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |