AP3010

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.5W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
漏源电流(Idss):10A
阈值电压:1.6V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:10A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.10 x 4.00mm
封装/外壳:SO-8
输入电容(Ci):1.55nF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):12mΩ@10V
栅极电荷(Qg):13nC
高度:1.75mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
10+¥0.4509
100+¥0.3447
包装:10 库存:3111