AP30H150K

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):62.5W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:108W
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@20V,120A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:120A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:330pF
工作温度:+150℃
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.5607
包装:5 库存:2489