AP30H150K
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：62.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 108W |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 6.30mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 反向传输电容Crss: | 330pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容(Ci): | 2.68nF |
| 工作温度: | +150℃(TJ) |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 3mΩ@20V,120A |
| 栅极电荷(Qg): | 30nC |
| 高度: | 2.50mm |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.9316 |
| 50+ | ¥0.7232 |
| 150+ | ¥0.6205 |
| 包装：5 | 库存：2489 |