AP30H150K

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):62.5W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:108W
阈值电压:1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:120A
长x宽/尺寸:6.80 x 6.30mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TO-252(DPAK)
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China
输入电容:2.68nF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC
高度:2.50mm
零件状态:Active
价格梯度 价格
1+¥0.7044
10+¥0.6775
100+¥0.6130
500+¥0.5807
包装:1 库存:2489