AOTS21115C
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供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 技术路线: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散: | 2.5W |
| 阈值电压: | 950mV |
| 额定功率: | 2.5W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 40mΩ@6.6A,4.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.6A |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 1.8,4.5V |
| 封装/外壳: | TSOP-6 |
| 栅极源极击穿电压: | ±8V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 原产国家: | America |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 54mΩ |
| 输入电容: | 930pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 17nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.5453 |
| 10+ | ¥1.4176 |
| 30+ | ¥1.3920 |
| 100+ | ¥1.3154 |
| 包装：1 | 库存：0 |