UMW4N65F
品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2.8Ω@10V TO220F
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 品牌: | UMW |
| 击穿电压: | 650V |
| 功率耗散: | 33W |
| 阈值电压: | 4V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 2.8Ω |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 长x宽/尺寸: | 10.30 x 4.95mm |
| 封装/外壳: | TO-220F |
| 漏极电流: | 4A |
| 栅极源极击穿电压: | ±30V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±30V |
| 最小包装: | 50pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 高度: | 20.00mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.9380 |
| 30+ | ¥0.9045 |
| 100+ | ¥0.8710 |
| 500+ | ¥0.8040 |
| 1000+ | ¥0.7705 |
| 2000+ | ¥0.7504 |
| 包装：1 | 库存：0 |