NCE2060K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 60W |
| 阈值电压: | 1V |
| 原始制造商: | WUXI NCE POWER CO., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 27nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 6mΩ@4.5V |
| 栅极电荷(Qg): | 27nC |
| 高度: | 2.40mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8858 |
| 包装：1 | 库存：10 |