NCE2060K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 60W |
| 阈值电压: | 1V@250µA |
| 额定功率: | 60W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 6mΩ@4.5V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 漏极电流: | 1uA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 2nF |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 27nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.8858 |
| 包装：1 | 库存：10 |