NCE82H140

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

物料参数

安装类型:插件
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:3V
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:140A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:10.25 x 4.60mm
封装/外壳:TO-220-3
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:158nC
Vgs(Max):20V
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):82V
栅极电荷(Qg):158nC
高度:19.15mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥7.1295
10+¥5.6840
50+¥4.9294
100+¥4.2060
500+¥3.7529
包装:1 库存:0