NCE82H140

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

物料参数

安装类型:插件
漏源电流(Idss):1uA
功率耗散:220W
阈值电压:3V
包装:Tube packing
连续漏极电流:140A
封装/外壳:TO-220-3
反向传输电容Crss:384pF@40V
输入电容(Ci):7.9nF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃
充电电量:158nC
Vgs(Max):20V
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):82V
导通电阻(RDS(on):4.3mΩ@10V,20A
栅极电荷(Qg):158nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.3250
10+¥3.1350
30+¥2.7550
100+¥2.4700
500+¥2.2800
1000+¥2.1470
包装:1 库存:0