AO4606
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分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
30V互补MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | ±20V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1.8V |
| 极性: | N-沟道,P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 6A,6.5A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 反向传输电容Crss: | 35pF |
| 栅极源极击穿电压: | 42mΩ |
| 输入电容(Ci): | 310pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 30mΩ |
| 栅极电荷(Qg): | 6nC |
| 高度: | 1.65mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.4274 |
| 50+ | ¥1.1393 |
| 150+ | ¥1.0197 |
| 包装：5 | 库存：123 |