VBA1630
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | VBsemi |
| 阈值电压Vgs(th): | 2.5V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 6.1A |
| 极性: | N-Channel |
| 漏源导通电阻 RDS(on): | 35mΩ |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 60V |
| FET类型: | N-Channel |
| 存储温度: | -55~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 配置: | Single |
| 功率(Max): | 5W（TC） |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 导通电阻Rds On(Max): | 35mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 1.75mm |
| 引脚数: | 8Pin |