VBA1630

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 60V 7.6A SO-8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
功率耗散:5W
阈值电压:2.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:7.6A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SO-8
反向传输电容Crss:55pF
输入电容(Ci):1.1nF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):35mΩ@4.5V
栅极电荷(Qg):10.5nC
高度:1.75mm
引脚数:8Pin
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