NCE3090K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:2.5V
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:90A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:TO-252(DPAK)
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:67nC
配置:单路
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):5.8mΩ@10V,20A
栅极电荷(Qg):60nC
高度:2.40mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.2130
包装:1 库存:10