NCE3090K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:105W
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:90A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
反向传输电容Crss:341pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):60nC
晶体管类型:N沟道
引脚数:2Pin
价格梯度 价格
1+¥1.2130
包装:1 库存:10