NCE3090K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
NCE N沟道增强型功率MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:2.5V@250µA
额定功率:105W
包装:Tape/reel
连续漏极电流:90A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:6.70 x 6.20mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:67nC
配置:单路
输入电容:3.568nF
Vgs(Max):±20V
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):60nC
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.2130
包装:1 库存:10