NCE01H13D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 285W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 6.8mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 10.31 x 8.90mm |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 反向传输电容Crss: | 695pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 输入电容: | 7.18nF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 105nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.0525 |
| 10+ | ¥2.7750 |
| 30+ | ¥2.5900 |
| 100+ | ¥2.3125 |
| 500+ | ¥2.1830 |
| 1000+ | ¥2.0905 |
| 包装：1 | 库存：0 |