BRCS4484SC

品牌
BLUE ROCKET
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):1.7W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:40V
阈值电压:1.4V
原始制造商:Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
包装:Tape/reel
原产地:China
连续漏极电流:10A
封装/外壳:SO-8
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:135pF
工作温度:+150℃(TJ)
配置:单路
最小包装:4000pcs
漏源电压(Vdss):40V
导通电阻(RDS(on):12mΩ@4.5V
栅极电荷(Qg):27.2nC@10V
高度:1.75mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥1.1881
50+¥1.1702
800+¥1.1351
1600+¥1.0840
4000+¥1.0190
包装:5 库存:3590