2SJ355

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:2.5W
击穿电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
连续漏极电流:6A
封装/外壳:SOT89-3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:145pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):56mΩ
栅极电荷(Qg):38nC
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
价格梯度 价格
1+¥0.7618
包装:1 库存:0