AP30H50Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):30W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ALLPOWER
功率耗散:30W
阈值电压:1.5V
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:40A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.15 x 3.05mm
封装/外壳:PDFN-8(3x3)
元件生命周期:Active
输入电容(Ci):1.116nF
工作温度:+150℃
配置:单路
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):6.5mΩ@10V,15A
栅极电荷(Qg):13.3nC
零件状态:Active
价格梯度 价格
5+¥0.6421
50+¥0.4973
1000+¥0.3704
包装:5 库存:2381