AP30H50Q
品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：30W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 1.5V |
| 原始制造商: | Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 6.5mΩ@10V,15A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 40A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.05mm |
| 封装/外壳: | PDFN8_3X3MM |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 1.116nF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 13.3nC |
| 高度: | 0.75mm |
| 类型: | 1个N沟道 |