VB2290A

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=60mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
击穿电压:20V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:3.7A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:835pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):8nC
高度:1.12mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin