BLM3400

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.4W SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Belling
漏源电流(Idss):5.8A
功率耗散:1.4W
阈值电压:900mV
原始制造商:Shanghai Belling Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:5.8A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):59mΩ@2.5V,4A
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.2092
20+¥0.1903
100+¥0.1714
500+¥0.1525
1000+¥0.1436
2000+¥0.1373
包装:5 库存:374