VB7322

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-沟道 30V 6A TSOP-6

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
漏源电流(Idss):6A
功率耗散:1.3W
击穿电压:30V
阈值电压:1.5V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
原产地:China Taiwan
连续漏极电流:6A
封装/外壳:TSOP-6
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:42pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):27mΩ
栅极电荷(Qg):13nC
晶体管类型:N沟道
无库存