SPT25N120F1A1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:50A
安装类型:插件
关断损耗:0.32mJ
包装:Tube packing
极性:NPN
集射极击穿电压Vceo:1.2KV
导通损耗:2mJ
封装/外壳:TO-247
反向恢复电荷:2570nC
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
最小包装:30pcs
开通延迟时间:35ns
栅极电荷(Qg):125nC
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-
晶体管类型:FS(场截止)
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥5.7200
10+¥5.2800
30+¥5.1920
包装:1 库存:0