TC4953C
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
20V P 沟道增强型MOS场效应管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | -5.3A |
| 击穿电压: | -20V |
| 阈值电压: | 1.4V |
| 原始制造商: | Fine Made Microelectronics Group Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 5.3A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -50℃~+150℃ |
| 配置: | 双路 |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 导通电阻(RDS(on): | 110mΩ |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
无库存