TC4953C

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
20V P 沟道增强型MOS场效应管

物料参数

安装类型:SMT
品牌:FM
功率耗散:-
阈值电压:-1.4V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5.3A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
存储温度:-50℃~+150℃
封装/外壳:SOIC-8
漏极电流:-5.3A
工作温度:-50℃~+150℃
配置:双路
原产国家:China
Vgs(Max):±12V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.50mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
无库存