CES2301

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:20V
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4.5A
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:155pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):10nC
高度:1.12mm
零件状态:Active
晶体管类型:MOSFET
引脚数:3Pin