VB1106K

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:100V
阈值电压:2.5V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:260mA
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:2pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:0.5nC
配置:单路
输入电容:30pF
Vgs(Max):±20V
应用等级:Consumer
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS, HF(halogen free),
栅极电荷(Qg):0.5nC
晶体管类型:N沟道
应用:Consumer
价格梯度 价格
1+¥0.4064
10+¥0.3810
50+¥0.3429
150+¥0.3175
300+¥0.2997
500+¥0.2921
包装:1 库存:0