VB1106K

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:370mW
阈值电压:2.5V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:260mA
长x宽/尺寸:3.04 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):100V
导通电阻(RDS(on):2.8Ω@10V
栅极电荷(Qg):0.5nC
高度:1.12mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.4064
10+¥0.3810
50+¥0.3429
150+¥0.3175
300+¥0.2997
500+¥0.2921
包装:1 库存:0