RSR020N06TL

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:VBsemi
功率耗散:1.09W
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China Taiwan
连续漏极电流:3.1A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
输入电容(Ci):180pF
反向传输电容Crss:13pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
充电电量:2.1nC
配置:单路
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):86mΩ
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.7835
50+¥0.7665
600+¥0.7550
包装:5 库存:0