NCE3415
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
P沟道增强型功率MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 1.4W |
| 阈值电压: | 900mV |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 4A |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 1.40mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±10V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 12nC |
| Vgs(Max): | 10V |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4961 |
| 包装：1 | 库存：49 |